英伟达，更新蹊径图！台积电中枪？

据Tomshardware引述TF International Securities 分析师Ming-Chi Kuo的报说念，因为商场对Nvidia(NVDA.US)顶端Blackwell双芯片想象的需求正在高出Nvidia的低端单芯片想象是以这家市值万亿好意思元的GPU制造巨头还是更新了其Blackwell架构蹊径图，优先斟酌聘请CoWoS-L封装的双芯片想象。

图注：英伟达此前公布的蹊径图

报说念进一步指出，从本年第一季度驱动，Nvidia将专注于其 200 系列 Blackwell GPU。但值得贯注的是，这仅包括 200 系列的多芯片版块，举例 GB200 NVL72 — 200 系列的单芯片版块，举例 B200A，还是停产。

相似，Nvidia 明显计议优先斟酌控制多芯片的B300系列型号，尤其是 GB300 NVL72。由于对多芯片变体的需求较高，仅使用单个芯片的 B300 GPU 变体在制造中将处于低优先级。Nvidia 的高优先级 Blackwell GPU 型号使用台积电(TSM.US)更先进的 CoWoS-L 技巧。已停产的 B200A 和单芯片 B300 GPU 齐使用 CoWoS-S。

Ming-Chi Kuo暗示，由于这些变化，某些供应商将受到“出奇严重的打击”。

英伟达蹊径图，变了哪些?

按照此前的先容，英伟达有聘请双芯片想象200 系列，该系列包括 GB200 NVL72 和 HGX B200 等系统家具，使用 CoWoS-L 制造。

Nvidia 暗示，新款 B200 GPU 领有 2080 亿个晶体管，可提供高达 20 petaflops的 FP4 马力。此外，它暗示，将两个 GPU 与单个 Grace CPU 相结合的 GB200 不错为 LLM 推理职责负载提供30倍的性能，同期还可能显耀提高成果。据表露，与 H100 比较，它“将资本和能耗缩小了25倍。

但Ming-Chi Kuo指出，200 系列不包括此前使用CoWoS-S工艺的单芯片版块B200A，因此它们不需要 CoWoS-S。

分析机构SemiAnalysis此曾暗示，Nvidia 计议推出一款名为 B200A 的新式 Blackwell GPU，它将是已推迟发布的 B200 GPU 的低端替代品。他们在一份讲解中暗示，B200A 将包含高达 144GB 的 HBM3E 内存，并破费高达 1000 瓦的功率，能知足对低端和中端 AI 系统的需求。按照当先经营，B200A GPU 将用于 MGX GB200A NVL36 等奇迹器，该奇迹器最多营救 36 个 GPU。这可能会诱骗那些但愿构建较小 AI 模子的超大限制客户。

值得一提的是，B200A 将基于名为 B102 的die，“该die也将用于中国版 Blackwell的B20”。

但当今，如Ming-Chi Kuo所说，英伟达的策略变了。他进一步指出，从 2025 年 1 季度驱动，Nvidia 将要点转向 200 系列，同期减少 H 系列的供应。这将进一步减少他们对 CoWoS-S 的需求。

在Ming-Chi Kuo的分析讲解中，还对英伟达改日的B300进行了分析。他暗示，该系列正本经营了双芯片(CoWoS-L)和单芯片(CoWoS-S)想象，包括 GB300 NVL72(双芯片)和 HGX B300 NVL16(单芯片)等系统。

相似是SemiAnalysis的音问高傲，Nvidia 的 B300 系列处理器聘请了经过大幅调整的想象，仍将聘请台积电的 4NP 制造工艺(针对 Nvidia 进行优化的 4nm 级节点，性能增强)，但讲解称，它们的狡计性能将比 B200 系列处理器向上 50%。性能升迁的代价是高达 1,400W 的 TDP，仅比 GB200 高 200W。SemiAnalysis 称，B300 将在 B200 上市大要半年后上市。

Nvidia B300 系列的第二项首要修订是使用 12-Hi HBM3E 内存堆栈，可提供 288 GB 内存和 8 TB/s 带宽。增强的内存容量和更高的狡计婉曲量将终了更快的测验和推理，推理资本最多可缩小三倍，因为 B300 不错处理更大的批量大小并营救扩展的序列长度，同期处理用户交互中的蔓延问题。

除了更高的狡计性能和更大的内存外，Nvidia 的第二代 Blackwell 机器还可能聘请该公司的 800G ConnectX-8 NIC。该 NIC 的带宽是现时 400G ConnectX-7 的两倍，况且有 48 个 PCIe 通说念，而其前代家具唯有 32 个。这将为新奇迹器提供显明的横向扩展带宽修订，这对大型集群来说是一个告成。

据先容，B300 和 GB300 的另一个首要修订是，与 B200 和 GB200 比较，Nvidia 据称将再行想象所有这个词供应链。该公司将不再试图销售所有这个词参考主板或所有这个词奇迹器机箱。相背，Nvidia 将只销售搭载 SXM Puck 模块、Grace CPU 和 Axiado 主机不停戒指器 (HMC) 的 B300。因此，将允许更多公司参与 Blackwell 供应链，这有望使基于 Blackwell 的机器更容易得回。

借助 B300 和 GB300，Nvidia 将为其超大限制和 OEM 团联合伴提供更多想象Blackwell 机器的解放，这将影响它们的订价致使性能。

不外，Ming-Chi Kuo指出，天然基于 B300 的系统计议于 2026 年大限制出货，但 Nvidia 和 CSP 目下更可爱使用CoWoS-L封装的GB300 NVL72 。天然也使用单芯片、CoWoS-S封装 B300 系统，但 GB300 NVL72 将优先斟酌。

因此，对 CoWoS-L 的需求比对 CoWoS-S 的需求更为蹙迫。

为此，Ming-Chi Kuo指出，家具蹊径图的这些转动将在不同进程上影响 Nvidia 偏抓供应链团联合伴的发达。某些供应商将受到出奇严重的打击，导致其股价近期出现大幅回调。不外，从 Nvidia 的角度来看，CoWoS-S 蔓延的放缓/减少主若是由家具蹊径图的变化而不是需求下滑所致。这一变化也与台积电将其 CoWoS-L 技巧现实径主流处理决策的策略计议瑕瑜分明。

CoWoS-L和CoWoS-S，有何不同?

在上头的先容中，咱们看到了对于CoWoS-L和CoWoS-S的表情。这其实是英伟达CoWoS平台的两个版块。

据先容，CoWoS是Chip-on-wafer-on-substrate的简写。动作一种先进的封装技巧，CoWoS具有封装尺寸更大和 I/O 勾通更多等上风。它允许 2.5D 和 3D 组件堆叠，以终了同质和异构集成。以前的系统靠近内存驱散，而现代数据中心则使用高带宽内存 (HBM) 来增强内存容量和带宽。CoWoS 技巧允许在并吞 IC 平台上异构集成逻辑 SoC 和 HBM。

传统上，按照摩尔定律对晶体管进行限制化有助于知足提高性能的需求。关连词，事实评释，这对于高性能狡计 (HPC)、东说念主工智能致使图形处理单位 (GPU) 等现代应用而言是不够的。CoWoS 允许在并吞基板上堆叠芯片，从而减少同质或异构逻辑 SoC 之间以及 HBM 之间的互连蔓延。

与此同期，硅中介层和有机中介层的使用大大增强了堆叠集成电路的热不停能力。这径直提高了所有这个词系统的可靠性和使用寿命，同期最大法例地缩小了热节流的风险。

此外，中介层中的电源/接地集聚使用 RDL，并结合深槽电容器 (DTC)，不会挫伤高速应用和内存密集型应用的电源完竣性。

正因为CoWoS 技巧有助于在并吞中介层和基板上装配多个逻辑 SoC 和 HBM。这与传统封装技巧酿成昭着对比，传统封装技巧昔时需要将多个逻辑 SoC 装配在印刷电路板 (PCB) 上，并在封装中进行必要的勾通。这导致封装尺寸更大，并加多了材料资本和制造用度。CoWoS 封装总体上更小，更具资本效益。

跟着AI的火热，CoWoS需求大增，这就激动台积电大幅推广CoWoS。据经济日报在本年龄首报说念，台积电正积极提高 CoWoS 先进封装产能，预估 2025 年产能接近翻倍，达到每月 7.5 万片晶圆，而且因商场需求强盛，会在 2026 年继续提高产能。

具体而言，如下图所示，CoWoS有以下三个版块，当中就包括了CoWoS-L和CoWoS-S。

台积电先容说，CoWoS -S(Chip on Wafer on Substrate with silicon interposer)平台为超高性能狡计应用(如东说念主工智能 (AI) 和超等狡计)提供一流的封装技巧。该晶圆级系统集成平台在大型硅中介层区域上提供高密度互连和深沟槽电容器，以容纳多样功能性顶部芯片/芯片，包括逻辑芯片，其上堆叠有高带宽内存 (HBM) 立方体。目下，高达 3.3X 光罩尺寸(或 ~2700mm²)的中介层已准备好参加出产。

CoWoS -R(Chip on Wafer on Substrate with silicon interposer with fan-out RDL interposer)是 CoWoS 先进封装系列的成员之一，该系列控制再散播层 (RDL) 中介层动作片上系统 (SoC) 和/或高带宽内存 (HBM) 之间的互连，以终了异构集成。RDL 中介层由团聚物和铜线构成，相对天真。这增强了 C4 辩论的完竣性，并允许封装扩展其尺寸以知足相等复杂的功能需求。

CoWoS -L 则是 CoWoS(晶圆上芯片)平台上的芯片临了封装之一。它结合了 CoWoS -S 和 InFO(集成扇出)技巧的优点，使用中介层和局部硅片互连 (LSI) 芯片终了芯片间互连，并使用 RDL 层终了电源和信号传输，从而提供最天真实集成。

CoWoS -L 的 主要特色包括：

1、LSI 芯片用于通过多层亚微米铜线终了高布线密度芯片间互连。LSI 芯片不错在每个家具中聘请多样勾通架构，举例片上系统 (SoC) 到 SoC、SoC 到芯片组、SoC 到高带宽内存，况且不错在多种家具中相通使用。相应的金属类型、层数和间距与 CoWoS -S 的家具一致。

2、基于成型的中介层在正面、后面和传输信号和电源的 InFO 通孔 (TIV) 上具有较宽的 RDL 层间距，可在高速传输过程中缩小高频信号的损耗。

3、好像在 SoC 芯片下方集成寂寞镶嵌式深沟槽电容器等附加元素，以改善电源不停。

写在临了

日前，台媒就有音问指出，有大客户砍掉台积电的CoWoS订单，郭明淇的音问，让这个新闻有了另一维度的判辨。

郭明淇暗示，天然 CoWoS-S 蔓延速率正在放缓，但 CoWoS-R 产能正在加多。他同期提到，对于台积电来说，从 B200 到 B300 的过渡触及沟通的 FEoL 经过。BEoL 变更不错通过 ECO 进行不停。

因此台积电将它们视为沟通的家具，家具过渡的时辰对台积电来说并不要害。

本文转载自“半导体行业不雅察”公众号，智通财经裁剪：蒋远华。

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